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三星开始量产全球首款3DNAND闪存

发布时间:2020-01-14 23:28:01 阅读: 来源:PH计厂家

三星电子(Samsung Electronics)2013年8月6日宣布,已开始量产全球首款三维单元构造的NAND闪存“Vertical NAND(V-NAND)”。该产品可用于消费类电子产品及工业设备的嵌入式NAND存储器以及SSD。

V-NAND采用(将电荷存储在氮化膜里的)电荷捕获式三维单元构造。单元堆叠层数为24层,采用三星自主开发的蚀刻技术,一次性完成所有开孔加工,降低了制造成本。据说能够实现现行20nm工艺浮栅型平面NAND闪存2倍以上的集成度,此次的量产产品的单芯片容量达到128Gbit。另外,与10nm工艺的浮栅型NAND闪存相比,可将工作可靠性提高至2~10倍,写入速度提高至2倍。三星表示,将来还有望实现Tbit级别的大容量化。

现行的平面型NAND闪存在微细化的同时浮栅间距变得非常小,单元间的干扰问题越来越严重。作为超越微细化极限的技术,以三星及东芝为首的NAND闪存企业开始推进3D NAND闪存的开发,而三星率先开始量产。此次三星公布量产消息后,估计各大NAND闪存企业很可能会将3D NAND的量产日程提前。

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